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美光科技是全球内存与存储解决方案的领导者，专注于DRAM、NAND和NOR技术的研发与制造。2025年，美光在制程工艺、产品开发和业务布局方面取得进展。

一、制程工艺进展

1. 1γ制程技术应用

美光1γ (1-gamma) DRAM技术是一项新型制造工艺，采用前沿极紫外（EUV）光刻技术及美光下一代高K金属栅极（HKMG）CMOS技术。该技术相较于1β技术，其每片晶圆的位密度可提升30%以上。

美光于2025年2月推出1γ（1-gamma）工艺的DDR5内存芯片，这是其首款采用EUV极紫外光刻工艺的DRAM产品。1γ工艺的DDR5单颗容量达16Gb，可通过堆叠组成单条128GB的企业级产品，工作电压仅1.1V，却能实现9200MT/s的超高频率，功耗较1β工艺降低20%。

【小结】1γ制程工艺已进入量产阶段。

2. LPDDR5X产品

2025年6月，美光宣布出货全球首款1γ制程节点的LPDDR5X内存认证样品，专为旗舰智能手机设计。该产品速率达10.7Gbps（业界领先），功耗降低20%，封装尺寸缩小至0.61毫米（较竞品轻薄6%）。

产品目前已向特定合作伙伴送样16GB产品，2026年将推出8GB-32GB容量版本。

【小结】LPDDR5X产品已开始客户送样。

二、存储技术

1. G9 NAND技术

美光G9 NAND支持高达3.6 GB/s的创纪录NAND I/O传输速率，相较于目前已出货SSD所使用的最快NAND接口，数据传输速率提升高达50%。

2. HBM4产品

美光已完成业界最快11Gbps HBM4 DRAM的首批样片交付，该产品带宽达2.8TB/s，计划2026年量产。此外，公司与台积电合作开发HBM4E（下一代高带宽内存），预计2027年推出。

美光推出192GB SOCAMM2模组（小型压缩附加内存模块），采用1-gamma DRAM制程，能效提升20%以上，可缩短AI推理工作负载的首个token生成时间80%。

【小结】HBM4产品已完成首批样片交付。

三、产品组合

1. 数据中心SSD

2025年8月，美光发布三款基于G9 NAND的数据中心SSD，包括全球首款PCIe 6.0 NVMe SSD（9650 SSD）、业界容量领先的E3.S SSD（6600 ION SSD）及低延迟主流PCIe 5.0 SSD（7600 SSD）。

美光9650 SSD顺序读取速度可达28 GB/s，随机读取性能高达550万IOPS。美光6600 IONE3.S规格容量为122TB，E3.L规格容量为245TB。

2. MRDIMM产品

2024年7月，美光推出高性能MRDIMM，带宽较传统DDR5 RDIMM提升39%，延迟降低40%，容量覆盖32GB-256GB。

【小结】数据中心SSD产品线包含三款不同规格产品。

四、业务组织

2025年，美光科技将业务重组为四大以市场细分为重点的部门：云存储事业部（CMBU）、移动与客户端事业部（MCBU）、汽车与嵌入式事业部（AEBU）、核心数据中心事业部（CDBU）。

【小结】美光将业务重组为四大市场导向部门。

五、财务表现

美光在2026财年第一季度运营收入为64亿美元，运营利润率为47%，环比提升12个百分点，同比提升20个百分点。

2026财年第一季度DRAM营收创下108亿美元的纪录，同比增长69%，占总营收的79%。2026财年第一季度NAND营收创下27亿美元的纪录，同比增长22%，占总营收的20%。

【小结】2026财年第一季度各项营收指标均创历史新高。

六、制造投资

2023年6月，美光宣布在西安追加投资43亿元人民币，扩建封装和测试工厂。新厂房于2024年3月破土动工，预计2025年下半年投产，建成后总面积将超过13.2万平方米。

该项目将制造移动DRAM、NAND及SSD等产品，拓展西安工厂现有的DRAM封装和测试能力。

【小结】西安工厂扩建项目按计划推进。

常见问题

Q：美光1γ制程工艺的技术特点是什么？

A：美光1γ (1-gamma) DRAM技术采用前沿极紫外（EUV）光刻技术及美光下一代高K金属栅极（HKMG）CMOS技术，相较于1β技术，其每片晶圆的位密度可提升30%以上。

Q：美光HBM4产品的参数规格如何？

A：美光HBM4产品速度达11Gbps，带宽达2.8TB/s，计划2026年量产。

Q：美光2026财年第一季度的营收构成如何？

A：美光运营收入为64亿美元，其中DRAM营收108亿美元占总营收79%，NAND营收27亿美元占总营收20%。

Q：美光西安工厂扩建项目的投资规模和进度如何？

A：美光在西安追加投资43亿元人民币，新厂房于2024年3月破土动工，预计2025年下半年投产。

Q：美光G9 NAND技术的传输速率参数是多少？

A：美光G9 NAND支持高达3.6 GB/s的创纪录NAND I/O传输速率，相较于目前已出货SSD所使用的最快NAND接口，数据传输速率提升高达50%。

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