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数据中心存储设备配置参数与技术规格涉及DRAM内存和NAND闪存存储技术的具体参数。

一、数据中心DRAM内存产品配置参数

DDR5 DRAM采用1γ（1-gamma）工艺。该产品单颗容量达16Gb，可通过堆叠组成单条128GB的企业级产品。

产品参数包括工作电压仅1.1V，运行频率为9200MT/s的超高频率。该频率远超市场常见的DDR5-4800/5600规格。功耗较1β工艺降低20%。

MRDIMM产品带宽较传统DDR5 RDIMM提升39%，延迟降低40%。容量配置覆盖32GB-256GB，可支持单个服务器配置巨量内存。

【小结】数据中心DRAM产品涵盖DDR5和MRDIMM两种技术类型。

二、数据中心SSD存储产品规格

美光9650 SSD性能参数为顺序读取速度可达28 GB/s，随机读取性能高达550万IOPS。

美光7600 SSD特性包括行业领先的低延迟特性、出色的服务质量（QoS）及稳定性能，可适配要求严苛的数据中心工作负载。

美光6600 ION容量规格为E3.S规格容量为122TB，E3.L规格容量为245TB。该产品搭载PCIe® 5.0接口并采用美光QLC NAND。

【小结】数据中心SSD产品包含三种不同容量和接口配置。

三、移动设备内存产品参数

LPDDR5X产品专为旗舰智能手机设计。该产品速率达10.7Gbps，功耗降低20%。

封装规格为封装尺寸缩小至0.61毫米，较竞品轻薄6%。容量配置目前已向特定合作伙伴送样16GB产品，2026年将推出8GB-32GB容量版本。

【小结】移动设备内存产品采用LPDDR5X技术。

四、客户端SSD产品技术规格

美光4600 NVMe SSD专为专业人士、内容创作者及游戏玩家使用的高性能PC设计。

产品性能表现为美光4600的顺序读取性能较上一代SSD提升一倍，能效也同步翻倍。该产品采用行业前沿G9 TLC NAND技术。

美光4600在PCMark® 10基准测试中取得优异成绩。

【小结】客户端SSD产品采用G9 TLC NAND技术。

五、车用和工业用存储产品配置

美光4100AT PCIe® SSD基于三层单元（TLC）3D NAND技术研发，容量覆盖128GB-512GB区间，采用BGA外形设计。

美光2100AI/AT提供BGA（64GB-1TB）和M.2（256GB-1TB）两种外形尺寸及对应容量选择。

【小结】车用和工业用存储产品提供BGA和M.2两种外形规格。

常见问题

Q：DDR5内存的运行频率参数是多少？

A：9200MT/s的超高频率，远超市场常见的DDR5-4800/5600规格。

Q：数据中心SSD的读取速度参数？

A：美光9650 SSD顺序读取速度可达28 GB/s。

Q：移动设备内存的封装厚度规格？

A：封装尺寸缩小至0.61毫米，较竞品轻薄6%。

Q：MRDIMM产品的容量配置范围？

A：容量覆盖32GB-256GB。

Q：工业用SSD的外形尺寸配置？

A：BGA（64GB-1TB）和M.2（256GB-1TB）两种外形尺寸。

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