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美光科技HBM内存产品是高带宽内存解决方案。美光向主要客户送样HBM4。这些样品专为无缝集成下一代AI平台而设计，进一步巩固了美光在HBM数据中心及AI产品组合领域的前沿地位。美光HBM产品应用于AI系统、高性能计算等领域。

一、美光HBM内存技术参数

美光HBM4内存带宽为2.8TB/s，传输速度为11Gbps。美光HBM4比上一代12层堆叠36GB HBM3E产品的能效提升20%以上。

美光已完成业界最快11Gbps HBM4 DRAM的首批样片交付，该产品带宽达2.8TB/s，性能与能效比超越竞品，计划2026年量产。

二、美光HBM内存应用领域

已上市的高带宽内存(HBM)产品可加速下一代显卡和游戏机、高性能计算和可视化，以及人工智能系统。HBM的高带宽可满足数据密集型工作负载的需求，而低功耗版HBM3E可提升AI开发的成本效益。

三、美光SOCAMM2模组产品

美光推出192GB SOCAMM2模组（小型压缩附加内存模块），采用1-gamma DRAM制程，能效提升20%以上，可缩短AI推理工作负载的首个token生成时间80%。

【小结】美光HBM4内存计划2026年量产，SOCAMM2模组已推出。

四、下一代HBM技术开发计划

公司与台积电合作开发HBM4E（下一代高带宽内存），将采用定制化CMOS基底芯片，预计2027年推出。

五、常见问题

Q：美光HBM4内存的带宽是多少？

A：2.8TB/s，传输速度为11Gbps。

Q：美光HBM4相比上一代产品能效如何？

A：美光HBM4比上一代12层堆叠36GB HBM3E产品的能效提升20%以上。

Q：美光HBM4什么时候量产？

A：计划2026年量产。

Q：美光HBM内存应用于哪些领域？

A：已上市的高带宽内存(HBM)产品可加速下一代显卡和游戏机、高性能计算和可视化，以及人工智能系统。

Q：美光下一代HBM技术计划是什么？

A：公司与台积电合作开发HBM4E（下一代高带宽内存），将采用定制化CMOS基底芯片，预计2027年推出。

Q：美光SOCAMM2模组有什么特点？

A：美光推出192GB SOCAMM2模组，采用1-gamma DRAM制程，能效提升20%以上，可缩短AI推理工作负载的首个token生成时间80%。

美光HBM4内存计划2026年量产，HBM4E预计2027年推出。

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